Scaling of RTS Noise in MOSFETs
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU75520" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU75520 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Scaling of RTS Noise in MOSFETs
Popis výsledku v původním jazyce
Low frequency noise of NMOS and PMOS field effect transistors was measured in wide temperature range as a function of applied electric field intensity in longitudinal and perpendicular direction and dependence of RTS noise amplitude on channel and gate biasing was analysed. The influence of sample geometry on 1/f noise and RTS noise was examined for gate lengths in the 0.14um to 15um range. Relative amplitude of noise given by number of carriers under the gate and noise reduction by modified gate oxidation is discussed.
Název v anglickém jazyce
Scaling of RTS Noise in MOSFETs
Popis výsledku anglicky
Low frequency noise of NMOS and PMOS field effect transistors was measured in wide temperature range as a function of applied electric field intensity in longitudinal and perpendicular direction and dependence of RTS noise amplitude on channel and gate biasing was analysed. The influence of sample geometry on 1/f noise and RTS noise was examined for gate lengths in the 0.14um to 15um range. Relative amplitude of noise given by number of carriers under the gate and noise reduction by modified gate oxidation is discussed.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F08%2F0260" target="_blank" >GA102/08/0260: Nízkofrekvenční šum v submikronových MOSFET a HEMT strukturách</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of IMAPS CS Int. Conf. Electronic Devices and Systems 2008
ISBN
978-80-214-3717-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
—
Název nakladatele
VUT v Brně
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
10. 9. 2008
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—