Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Scaling of RTS Noise in MOSFETs

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU75520" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU75520 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Scaling of RTS Noise in MOSFETs

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Low frequency noise of NMOS and PMOS field effect transistors was measured in wide temperature range as a function of applied electric field intensity in longitudinal and perpendicular direction and dependence of RTS noise amplitude on channel and gate biasing was analysed. The influence of sample geometry on 1/f noise and RTS noise was examined for gate lengths in the 0.14um to 15um range. Relative amplitude of noise given by number of carriers under the gate and noise reduction by modified gate oxidation is discussed.

  • Název v anglickém jazyce

    Scaling of RTS Noise in MOSFETs

  • Popis výsledku anglicky

    Low frequency noise of NMOS and PMOS field effect transistors was measured in wide temperature range as a function of applied electric field intensity in longitudinal and perpendicular direction and dependence of RTS noise amplitude on channel and gate biasing was analysed. The influence of sample geometry on 1/f noise and RTS noise was examined for gate lengths in the 0.14um to 15um range. Relative amplitude of noise given by number of carriers under the gate and noise reduction by modified gate oxidation is discussed.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA102%2F08%2F0260" target="_blank" >GA102/08/0260: Nízkofrekvenční šum v submikronových MOSFET a HEMT strukturách</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2008

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of IMAPS CS Int. Conf. Electronic Devices and Systems 2008

  • ISBN

    978-80-214-3717-3

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    VUT v Brně

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    10. 9. 2008

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku