Charakteristiky RTS šumu v tranzistorech MOSFET

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU78311" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU78311 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Charakteristiky RTS šumu v tranzistorech MOSFET
Popis výsledku v původním jazyce
Nízkofrekvenční šum v tranzistorech MOSFET je tvořen především složkami šumu typu 1/f a RTS. Článek se zabývá analýzou jejich závislosti na rozměrech kanálu a počtu nosičů náboje v něm a dále vlivu intenzity elektrického pole v kanálu na amplitudu RTS šumu. Na základě měření časové závislosti šumového napětí v širokém rozmezí teplot byly dále určeny základní parametry pastí.
Název v anglickém jazyce
Characteristics of RTS noise in MOSFETs
Popis výsledku anglicky
Low frequency noise in MOSFETs is given mainly by RTS and 1/f noise components. In this paper we present analysis of their dependence on the channel dimensions and number of charge carriers in it and also influence of electric field intensity in the channel on the RTS noise amplitude. By measurement of noise voltage time dependence in the wide temperature range we determined basic parameters of the traps.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F08%2F0260" target="_blank" >GA102/08/0260: Nízkofrekvenční šum v submikronových MOSFET a HEMT strukturách</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)