Activation Energy of RTS Noise
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU90163" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU90163 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Activation Energy of RTS Noise
Popis výsledku v původním jazyce
Low frequency noise was measured in silicon MOSFET and GaN and InGaAs based HFET devices with special emphasis on the RTS noise. The RTS (Random Telegraph Signal) dependence on the biasing conditions and temperature was analyzed in order to obtain new information regarding production technology. From the time dependence of the RTS noise voltage the mean time of charge carriers capture and emission by traps in the gate oxide layer was determined as a function of applied gate and drain voltage or electronconcentration and then several important trap parameters, such as activation energy and position in the channel could be estimated.
Název v anglickém jazyce
Activation Energy of RTS Noise
Popis výsledku anglicky
Low frequency noise was measured in silicon MOSFET and GaN and InGaAs based HFET devices with special emphasis on the RTS noise. The RTS (Random Telegraph Signal) dependence on the biasing conditions and temperature was analyzed in order to obtain new information regarding production technology. From the time dependence of the RTS noise voltage the mean time of charge carriers capture and emission by traps in the gate oxide layer was determined as a function of applied gate and drain voltage or electronconcentration and then several important trap parameters, such as activation energy and position in the channel could be estimated.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F08%2F0260" target="_blank" >GA102/08/0260: Nízkofrekvenční šum v submikronových MOSFET a HEMT strukturách</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Radioengineering
ISSN
1210-2512
e-ISSN
—
Svazek periodika
20
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
CZ - Česká republika
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—