Activation Energy of RTS Noise

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU90163" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU90163 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Activation Energy of RTS Noise

Popis výsledku v původním jazyce

Low frequency noise was measured in silicon MOSFET and GaN and InGaAs based HFET devices with special emphasis on the RTS noise. The RTS (Random Telegraph Signal) dependence on the biasing conditions and temperature was analyzed in order to obtain new information regarding production technology. From the time dependence of the RTS noise voltage the mean time of charge carriers capture and emission by traps in the gate oxide layer was determined as a function of applied gate and drain voltage or electronconcentration and then several important trap parameters, such as activation energy and position in the channel could be estimated.

Název v anglickém jazyce

Activation Energy of RTS Noise

Popis výsledku anglicky

Low frequency noise was measured in silicon MOSFET and GaN and InGaAs based HFET devices with special emphasis on the RTS noise. The RTS (Random Telegraph Signal) dependence on the biasing conditions and temperature was analyzed in order to obtain new information regarding production technology. From the time dependence of the RTS noise voltage the mean time of charge carriers capture and emission by traps in the gate oxide layer was determined as a function of applied gate and drain voltage or electronconcentration and then several important trap parameters, such as activation energy and position in the channel could be estimated.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F08%2F0260" target="_blank" >GA102/08/0260: Nízkofrekvenční šum v submikronových MOSFET a HEMT strukturách</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Radioengineering

ISSN

1210-2512

e-ISSN

—

Svazek periodika

20

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

CZ - Česká republika

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—