Activation energy of RTS noise

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU88138" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU88138 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Activation energy of RTS noise
Popis výsledku v původním jazyce
RTS (Random Telegraph Signal) was measured in a wide range of silicon MOSFETs with various dimensions and its dependence on biasing conditions and temperature analysed in order to obtain new information regarding production technology. From the time dependence of RTS noise voltage the mean time of charge carriers capture and emission by traps close to the Si-SiO2 interface was determined as a function of applied gate and drain voltage and then several important trap parameters, such as trap cross-section, activation energy and position in the channel could be estimated.
Název v anglickém jazyce
Activation energy of RTS noise
Popis výsledku anglicky
RTS (Random Telegraph Signal) was measured in a wide range of silicon MOSFETs with various dimensions and its dependence on biasing conditions and temperature analysed in order to obtain new information regarding production technology. From the time dependence of RTS noise voltage the mean time of charge carriers capture and emission by traps close to the Si-SiO2 interface was determined as a function of applied gate and drain voltage and then several important trap parameters, such as trap cross-section, activation energy and position in the channel could be estimated.

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F08%2F0260" target="_blank" >GA102/08/0260: Nízkofrekvenční šum v submikronových MOSFET a HEMT strukturách</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)