Noise Spectroscopy of Traps in MOSFETs

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU75521" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU75521 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Noise Spectroscopy of Traps in MOSFETs
Popis výsledku v původním jazyce
Low frequency noise of submicron MOSFETs was measured as a function of applied gate and drain voltage and temperature. Basic parameters of traps such as their activation energy and position in the channel were determined by the analysis of the RTS noisein the time domain using GRT model of RTS noise.
Název v anglickém jazyce
Noise Spectroscopy of Traps in MOSFETs
Popis výsledku anglicky
Low frequency noise of submicron MOSFETs was measured as a function of applied gate and drain voltage and temperature. Basic parameters of traps such as their activation energy and position in the channel were determined by the analysis of the RTS noisein the time domain using GRT model of RTS noise.

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F08%2F0260" target="_blank" >GA102/08/0260: Nízkofrekvenční šum v submikronových MOSFET a HEMT strukturách</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proceedings of IMAPS CS Int. Conf. Electronic Devices and Systems 2008
ISBN
978-80-214-3717-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
—
Název nakladatele
VUT v Brně
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
10. 9. 2008
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)