Nízkofrekvenční šum v submikronových tranzistorech MOSFET
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU63480" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU63480 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Low frequency noise in submicron MOSFETs
Popis výsledku v původním jazyce
Low frequency noise of Si N-MOSFET and GaN/Al/GaN HFET devices was mesured down to microHz region, given by 1/f noise and RTS noise components. RTS noise voltage signal was analysed by means of zero cross method.
Název v anglickém jazyce
Low frequency noise in submicron MOSFETs
Popis výsledku anglicky
Low frequency noise of Si N-MOSFET and GaN/Al/GaN HFET devices was mesured down to microHz region, given by 1/f noise and RTS noise components. RTS noise voltage signal was analysed by means of zero cross method.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of IMAPS CS International Conference Electronic Devices and Systems 2006
ISBN
80-214-3246-2
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
148-153
Název nakladatele
IMAPS CS
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
14. 9. 2006
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—