Ne-Poissonovský proces v šumu typu RTS

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU69172" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU69172 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Non-Poisson Process in RTS-like noise

Popis výsledku v původním jazyce

RTS noise was measured in wide range of semiconductor devices, comprising Si MOSFETs and GaN/AlGaN and InGaAs/InAlAs heterostructures. Statistical analysis of RTS noise in InGaAs sample revealed considerable correlation of subsequent pulse duration.

Název v anglickém jazyce

Non-Poisson Process in RTS-like noise

Popis výsledku anglicky

RTS noise was measured in wide range of semiconductor devices, comprising Si MOSFETs and GaN/AlGaN and InGaAs/InAlAs heterostructures. Statistical analysis of RTS noise in InGaAs sample revealed considerable correlation of subsequent pulse duration.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F05%2F2095" target="_blank" >GA102/05/2095: Zdroje šumu v polovodičových materiálech a součástkách</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proc. ICNF 2007 AIP Conf. Proc. Vol. 922

ISBN

978-0-7354-0432-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

111-114

Název nakladatele

AIP

Místo vydání

Tokio

Místo konání akce

Tokyo

Datum konání akce

9. 9. 2007

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—