Chemická pasivácia povrchu kremíkových dosiek pre solárne články
Popis výsledku
This work deals with an examination of different solution types a for the chemical passivation of a silicon surface. Various solutions are tested on silicon wafers for their consequent comparison. The main purpose of this work is to find optimal solution, which suits the requirements of a time stability, start-up velocity of passivation and reproducibility of the measurements.
Klíčová slova
passivation of a silicon surfacequinhydronechemical passivationiodine passivationmeasurement of minority carrier lifetimemethod MW PCD (Microwave Photoconductivity Decay)
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Chemická pasivácia povrchu kremíkových dosiek pre solárne články
Popis výsledku v původním jazyce
This work deals with an examination of different solution types a for the chemical passivation of a silicon surface. Various solutions are tested on silicon wafers for their consequent comparison. The main purpose of this work is to find optimal solution, which suits the requirements of a time stability, start-up velocity of passivation and reproducibility of the measurements.
Název v anglickém jazyce
Chemical passivation of surface for silicon solar cells
Popis výsledku anglicky
This work deals with an examination of different solution types a for the chemical passivation of a silicon surface. Various solutions are tested on silicon wafers for their consequent comparison. The main purpose of this work is to find optimal solution, which suits the requirements of a time stability, start-up velocity of passivation and reproducibility of the measurements.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Elektrotechnika a informatika 2009
ISBN
978-80-7043-810-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
Neuveden
Místo vydání
Plzeň, Západočeská univerzita v Plzni
Místo konání akce
Nečtiny
Datum konání akce
4. 11. 2009
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—
Druh výsledku
D - Stať ve sborníku
CEP
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Rok uplatnění
2009