Chemical passivation of a silicon surface for minority carrier bulk-lifetime measurements

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F09%3APU83320" target="_blank" >RIV/00216305:26220/09:PU83320 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Chemical passivation of a silicon surface for minority carrier bulk-lifetime measurements

Popis výsledku v původním jazyce

This work deals with an examination of a different solution types for the chemical passivation of a silicon surface. Various solutions are tested on silicon wafers for their consequent comparison. The main purpose of this work is to find optimal solution, which suits the requirements of a time stability and start-up velocity of passivation, reproducibility of the measurements and a possibility of a perfect cleaning of a passivating solution residues from a silicon surface, so that the parameters of a measured silicon wafer will not worsen and there will not be any contamination of the other wafers in series in the production after a repetitive return of the measured wafer into the production process. The cleaning process itself is also a subject of a development.

Název v anglickém jazyce

Chemical passivation of a silicon surface for minority carrier bulk-lifetime measurements

Popis výsledku anglicky

This work deals with an examination of a different solution types for the chemical passivation of a silicon surface. Various solutions are tested on silicon wafers for their consequent comparison. The main purpose of this work is to find optimal solution, which suits the requirements of a time stability and start-up velocity of passivation, reproducibility of the measurements and a possibility of a perfect cleaning of a passivating solution residues from a silicon surface, so that the parameters of a measured silicon wafer will not worsen and there will not be any contamination of the other wafers in series in the production after a repetitive return of the measured wafer into the production process. The cleaning process itself is also a subject of a development.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F09%2F0859" target="_blank" >GA102/09/0859: Souvislost lokální emise světla se stochastickými jevy v PN přechodu solárních článků při velmi nízkých teplotách.</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

24th European Photovoltaic Solar Energy Conference

ISBN

3-936338-25-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

Neuveden

Místo vydání

Hamburg.

Místo konání akce

Hamburg

Datum konání akce

20. 9. 2009

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—