Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

PRACTICALLY USABLE QUINHYDRONE CHEMICAL PASSIVATION OF A SILICON SURFACE FOR SOLAR CELLS

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU86580" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU86580 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    PRACTICALLY USABLE QUINHYDRONE CHEMICAL PASSIVATION OF A SILICON SURFACE FOR SOLAR CELLS

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This work deals with an examination of a different solution types for the chemical passivation of a silicon surface. Various solutions are tested on silicon wafers for their consequent comparison. The main purpose of this work is to find optimal solutionfor practical usage, which suits the requirements of a time stability and start-up velocity of passivation, reproducibility of the measurements and a possibility of a perfect cleaning of a passivating solution remains from a silicon surface, so that theparameters of a measured silicon wafer will not worsen and there will not be any contamination of the other wafers series in the production after a repetitive return of the measured wafer into the production process. This work confirms the drawbacks ofcommonly used iodine passivation and a method of an effective chemical passivation with a quinhydrone in methanol solution was suggested. The solution with a concentration of 0.07 mol /dm3 fulfils all required criteria. The work also conf

  • Název v anglickém jazyce

    PRACTICALLY USABLE QUINHYDRONE CHEMICAL PASSIVATION OF A SILICON SURFACE FOR SOLAR CELLS

  • Popis výsledku anglicky

    This work deals with an examination of a different solution types for the chemical passivation of a silicon surface. Various solutions are tested on silicon wafers for their consequent comparison. The main purpose of this work is to find optimal solutionfor practical usage, which suits the requirements of a time stability and start-up velocity of passivation, reproducibility of the measurements and a possibility of a perfect cleaning of a passivating solution remains from a silicon surface, so that theparameters of a measured silicon wafer will not worsen and there will not be any contamination of the other wafers series in the production after a repetitive return of the measured wafer into the production process. This work confirms the drawbacks ofcommonly used iodine passivation and a method of an effective chemical passivation with a quinhydrone in methanol solution was suggested. The solution with a concentration of 0.07 mol /dm3 fulfils all required criteria. The work also conf

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Student EEICT 2010

  • ISBN

    978-80-214-4079-1

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    Neuveden

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    FEKT VUT v Brně

  • Datum konání akce

    29. 4. 2010

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    CST - Celostátní akce

  • Kód UT WoS článku