PRACTICALLY USABLE QUINHYDRONE CHEMICAL PASSIVATION OF A SILICON SURFACE FOR SOLAR CELLS
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU86580" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU86580 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
PRACTICALLY USABLE QUINHYDRONE CHEMICAL PASSIVATION OF A SILICON SURFACE FOR SOLAR CELLS
Popis výsledku v původním jazyce
This work deals with an examination of a different solution types for the chemical passivation of a silicon surface. Various solutions are tested on silicon wafers for their consequent comparison. The main purpose of this work is to find optimal solutionfor practical usage, which suits the requirements of a time stability and start-up velocity of passivation, reproducibility of the measurements and a possibility of a perfect cleaning of a passivating solution remains from a silicon surface, so that theparameters of a measured silicon wafer will not worsen and there will not be any contamination of the other wafers series in the production after a repetitive return of the measured wafer into the production process. This work confirms the drawbacks ofcommonly used iodine passivation and a method of an effective chemical passivation with a quinhydrone in methanol solution was suggested. The solution with a concentration of 0.07 mol /dm3 fulfils all required criteria. The work also conf
Název v anglickém jazyce
PRACTICALLY USABLE QUINHYDRONE CHEMICAL PASSIVATION OF A SILICON SURFACE FOR SOLAR CELLS
Popis výsledku anglicky
This work deals with an examination of a different solution types for the chemical passivation of a silicon surface. Various solutions are tested on silicon wafers for their consequent comparison. The main purpose of this work is to find optimal solutionfor practical usage, which suits the requirements of a time stability and start-up velocity of passivation, reproducibility of the measurements and a possibility of a perfect cleaning of a passivating solution remains from a silicon surface, so that theparameters of a measured silicon wafer will not worsen and there will not be any contamination of the other wafers series in the production after a repetitive return of the measured wafer into the production process. This work confirms the drawbacks ofcommonly used iodine passivation and a method of an effective chemical passivation with a quinhydrone in methanol solution was suggested. The solution with a concentration of 0.07 mol /dm3 fulfils all required criteria. The work also conf
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Student EEICT 2010
ISBN
978-80-214-4079-1
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
Neuveden
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
FEKT VUT v Brně
Datum konání akce
29. 4. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—