Oplach kremíkových dosiek pre solárne články po chemickej pasivácii

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F09%3APU82907" target="_blank" >RIV/00216305:26220/09:PU82907 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Oplach kremíkových dosiek pre solárne články po chemickej pasivácii
Popis výsledku v původním jazyce
This work deals with a possibility of a perfect cleaning of a passivating solution remainig from a silicon surface, so that the parameters of a measured silicon wafer will not worsen and there will not be any contamination of the other wafers series in the production after a repetitive return of the measured wafer into the production process.
Název v anglickém jazyce
Cleaning process of silicon wafer for solar cells after chemical passivation
Popis výsledku anglicky
This work deals with a possibility of a perfect cleaning of a passivating solution remainig from a silicon surface, so that the parameters of a measured silicon wafer will not worsen and there will not be any contamination of the other wafers series in the production after a repetitive return of the measured wafer into the production process.

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F09%2F0859" target="_blank" >GA102/09/0859: Souvislost lokální emise světla se stochastickými jevy v PN přechodu solárních článků při velmi nízkých teplotách.</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)