Electron Transport in Ta Nanolayers: Application to Tantalum Capacitors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU86946" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU86946 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electron Transport in Ta Nanolayers: Application to Tantalum Capacitors

Popis výsledku v původním jazyce

The leakage current value for the various temperatures and applied voltage are frequently used as the reliability indicator for tantalum capacitors. Leakage current provides the information on the insulating layer thickness, its homogeneity and the number of defects in tested sample. In the insulating layer there are defects, which are responsible for the value and time evolution of the leakage current. The leakage current is a result of the random process of charge carrier transport and its DC component gives then information about the first statistical moment of this process. Capacitor structure can be in the first approximation considered as an ideal metal-insulator-semiconductor (MIS) structure. MIS structure model for tantalum capacitors with manganese dioxide cathode can be modified on the base of this leakage current analysis.

Název v anglickém jazyce

Electron Transport in Ta Nanolayers: Application to Tantalum Capacitors

Popis výsledku anglicky

The leakage current value for the various temperatures and applied voltage are frequently used as the reliability indicator for tantalum capacitors. Leakage current provides the information on the insulating layer thickness, its homogeneity and the number of defects in tested sample. In the insulating layer there are defects, which are responsible for the value and time evolution of the leakage current. The leakage current is a result of the random process of charge carrier transport and its DC component gives then information about the first statistical moment of this process. Capacitor structure can be in the first approximation considered as an ideal metal-insulator-semiconductor (MIS) structure. MIS structure model for tantalum capacitors with manganese dioxide cathode can be modified on the base of this leakage current analysis.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Polymer Electronics and Nanotechnologies: towards System Integration

ISBN

978-83-7207-874-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

137-139

Název nakladatele

Piotr Firek, Ryszard Kisiel

Místo vydání

Koszykowa 75 00 662 Warsaw Poland

Místo konání akce

Tatranská Lomnica

Datum konání akce

11. 5. 2011

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—