Development of a New Technique for the Study of a Single Trap in Insulators for Electronic Components

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU88547" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU88547 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Development of a New Technique for the Study of a Single Trap in Insulators for Electronic Components

Popis výsledku v původním jazyce

This paper presents temperature measurement of electron density for electronic components. Our department has a cryogenic laboratory for measurement at the different temperature from 10 to 500 K. We perform experiments and calculations VA (volt-ampere) characteristics and RTS (Random Telegraph Signal) noise for submicron technology with a channel length less than 300 nm. The electron temperature is then higher than the lattice one and the field dependent electron mobility must be considered. The capturetime constant increases with increasing drain current. From the dependence of the capture time constant c on the drain current we can calculate x-coordinate of the trap position. Electron concentration in the channel decreases linearly from the source to the drain contact. Diffusion current component is independent on the x-coordinate and it is equal to the drift current component for the low electric field. Lateral component of the electric field intensity is inhomogeneous in the cha

Název v anglickém jazyce

Development of a New Technique for the Study of a Single Trap in Insulators for Electronic Components

Popis výsledku anglicky

This paper presents temperature measurement of electron density for electronic components. Our department has a cryogenic laboratory for measurement at the different temperature from 10 to 500 K. We perform experiments and calculations VA (volt-ampere) characteristics and RTS (Random Telegraph Signal) noise for submicron technology with a channel length less than 300 nm. The electron temperature is then higher than the lattice one and the field dependent electron mobility must be considered. The capturetime constant increases with increasing drain current. From the dependence of the capture time constant c on the drain current we can calculate x-coordinate of the trap position. Electron concentration in the channel decreases linearly from the source to the drain contact. Diffusion current component is independent on the x-coordinate and it is equal to the drift current component for the low electric field. Lateral component of the electric field intensity is inhomogeneous in the cha

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

2010 Annual Report Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena Volume 1

ISBN

—

ISSN

0084-9162

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

Clearance Center 222 Rosewood Drive Danvers MA 0

Místo konání akce

West Lafayette, IN

Datum konání akce

17. 10. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—