Influence of quinhydrone concentration on chemical passivation in solar cell technology

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU88722" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU88722 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Influence of quinhydrone concentration on chemical passivation in solar cell technology
Popis výsledku v původním jazyce
The work deals with research of quinhydrone solution for chemical passivation of silicon surfaces. The main objective of this work is to identify the parameters of other quinhydrone solutions with different concetrations. The paper shows the influence ofincreased concentration of quinhydrone solution on startup abilities and temporal stability of the passivation layer. The next objective is to exam influence of higher quinhydrone concentration on textured silicon wafers.
Název v anglickém jazyce
Influence of quinhydrone concentration on chemical passivation in solar cell technology
Popis výsledku anglicky
The work deals with research of quinhydrone solution for chemical passivation of silicon surfaces. The main objective of this work is to identify the parameters of other quinhydrone solutions with different concetrations. The paper shows the influence ofincreased concentration of quinhydrone solution on startup abilities and temporal stability of the passivation layer. The next objective is to exam influence of higher quinhydrone concentration on textured silicon wafers.

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)