STUDY OF A QUINHYDRONE CHEMICAL PASSIVATION OF SILICON SURFACE FOR CARRIER BULK-LIFETIME MEASUREMENTS

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU89960" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU89960 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

STUDY OF A QUINHYDRONE CHEMICAL PASSIVATION OF SILICON SURFACE FOR CARRIER BULK-LIFETIME MEASUREMENTS

Popis výsledku v původním jazyce

This work deals with examination of quinhydrone/methanol solution for chemical passivation of silicon surfaces. The main objective of this work is to identify the parameters of other quinhydrone solutions with different concetrations as compared with a referential quinhydrone/methanol solution with a concentration of 0.07 mol/dm?, marked QM007 [1]. Silicon textured wafers passivated by the QM007 solution exhibit very good long-time stability, but relative slow startup of passivation abilities. For the textured Si wafers it takes about 10 minutes, it is important to try to eliminate this time dependence. We will show the influence of increased concentration of quinhydrone solution on startup abilities and temporal stability of the passivation layer. Thelast objective is to identify the influence of illumination and temperature on the properties of quinhydrone chemical passivation. The results confirm the influence of increased concentration quinhydrone on the startup and temporal stabi

Název v anglickém jazyce

STUDY OF A QUINHYDRONE CHEMICAL PASSIVATION OF SILICON SURFACE FOR CARRIER BULK-LIFETIME MEASUREMENTS

Popis výsledku anglicky

This work deals with examination of quinhydrone/methanol solution for chemical passivation of silicon surfaces. The main objective of this work is to identify the parameters of other quinhydrone solutions with different concetrations as compared with a referential quinhydrone/methanol solution with a concentration of 0.07 mol/dm?, marked QM007 [1]. Silicon textured wafers passivated by the QM007 solution exhibit very good long-time stability, but relative slow startup of passivation abilities. For the textured Si wafers it takes about 10 minutes, it is important to try to eliminate this time dependence. We will show the influence of increased concentration of quinhydrone solution on startup abilities and temporal stability of the passivation layer. Thelast objective is to identify the influence of illumination and temperature on the properties of quinhydrone chemical passivation. The results confirm the influence of increased concentration quinhydrone on the startup and temporal stabi

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F09%2F0859" target="_blank" >GA102/09/0859: Souvislost lokální emise světla se stochastickými jevy v PN přechodu solárních článků při velmi nízkých teplotách.</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

25th European Photovoltaic Solar Energy Conference

ISBN

3-936338-26-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

Neuveden

Místo vydání

Neuveden

Místo konání akce

Valencia

Datum konání akce

6. 9. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—