Light emission from silicon solar cells as characterization technique

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU89127" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU89127 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Light emission from silicon solar cells as characterization technique
Popis výsledku v původním jazyce
The paper describes local photoelectric measurement results obtained with monocrystalline silicon solar cell in visible light. The measurement allows localize, with high spatial resolution, a weak light emission from defects at reverse bias voltage as low as 3 V, which does not exhibit any relation to current-voltage characteristics (no local breakdowns). Other types of defects observed under forward bias using electroluminescence (EL) and light induced beam current (LBIC) techniques are also visualized. The measurements should contribute to find a correlation between EL and modified LBIC results.
Název v anglickém jazyce
Light emission from silicon solar cells as characterization technique
Popis výsledku anglicky
The paper describes local photoelectric measurement results obtained with monocrystalline silicon solar cell in visible light. The measurement allows localize, with high spatial resolution, a weak light emission from defects at reverse bias voltage as low as 3 V, which does not exhibit any relation to current-voltage characteristics (no local breakdowns). Other types of defects observed under forward bias using electroluminescence (EL) and light induced beam current (LBIC) techniques are also visualized. The measurements should contribute to find a correlation between EL and modified LBIC results.

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F08%2F1474" target="_blank" >GA102/08/1474: Lokální optická a elektrická charakterizace optoelektronických struktur s nanometrickým rozlišením</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
2010 9th International Conference on Environment and Electrical Engineering
ISBN
978-1-4244-5371-9
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
Reprotechnika Wroclaw
Místo vydání
Wroclaw
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
16. 5. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)