Reverse-biased solar cell light emission thermal dependency

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU89131" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU89131 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Reverse-biased solar cell light emission thermal dependency

Popis výsledku v původním jazyce

We present experimental data of light emission measurement from reverse-biased monocrystalline solar cell samples. Using high sensitivity light detection technique (cooled PMT in photon counting regime), some spots appearing in low reverse voltage Ur = 1.9 V have been found. Thermal dependency of light emission from bulk and edge defects shows different characteristics, respectively. Therefore not all of the light emitting spots in visible range are connected with avalanche multiplication or microplasmas. This measurement proves that all defects in the cell are not of the same nature.

Název v anglickém jazyce

Reverse-biased solar cell light emission thermal dependency

Popis výsledku anglicky

We present experimental data of light emission measurement from reverse-biased monocrystalline solar cell samples. Using high sensitivity light detection technique (cooled PMT in photon counting regime), some spots appearing in low reverse voltage Ur = 1.9 V have been found. Thermal dependency of light emission from bulk and edge defects shows different characteristics, respectively. Therefore not all of the light emitting spots in visible range are connected with avalanche multiplication or microplasmas. This measurement proves that all defects in the cell are not of the same nature.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GAP102%2F10%2F2013" target="_blank" >GAP102/10/2013: Fluktuační procesy v PN přechodech solárních článků</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Electronic Devices and Systems EDS10

ISBN

978-80-214-4138-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

Novpress

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

1. 9. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—