Charakterizace solárních článků s využitím vyzařování ze závěrně polarizovaných pn přechodů

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F09%3APU82381" target="_blank" >RIV/00216305:26220/09:PU82381 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Charakterizace solárních článků s využitím vyzařování ze závěrně polarizovaných pn přechodů
Popis výsledku v původním jazyce
Příspěvek se experimentálně zabývá problematikou lokálního vyzařování ze závěrně polarizovaných monokrystalických křemíkových solárních článků. Místa na povrchu článků, ze kterých dochází k lokálnímu vyzařování, jsou pravděpodobné defekty. U vzorků bylopozorováno vyzařování z hran jednak lokální, ale i celistvé. V článku je popsána metoda charakterizace a jsou ukázány některé dosažené výsledky charakterizace několika skupin vzorků. Ze získaných výsledků je patrné, že metoda by mohla být perspektivní nedestruktivní charakterizační technikou defektů. Podstata defektů je hledána v rámci dlouhodobého výzkumu, ale není diskutována v tomto článku.
Název v anglickém jazyce
Solar cell characterization using light emission of reverse biassed pn junction
Popis výsledku anglicky
This paper deals with experimental results of locale light emission from silicon solar cells measurements. Local spots at the sample surface which emit the light are potential defects. The light emission out of edges and out of the bulk of samples was observed. The method of measurement is described in this paper and is shown some of the measurement results.

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F08%2F1474" target="_blank" >GA102/08/1474: Lokální optická a elektrická charakterizace optoelektronických struktur s nanometrickým rozlišením</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)