Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Artificial defects of solar cells

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU93295" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU93295 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Artificial defects of solar cells

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Artificial defects of solar cells are observable with laser beam induced current techniques. Reversed bias solar cell light emission can also reveal structure inhomogenity and local mechanical damage of the sample. The paper shows simple method for basicclassification into structure group and artificial defects group. Observed artificial defects are shown and process of its creation is described. Defects classification method is based on the measurement of light emission at fixed reverse voltage whilethe temperature of sample is changing in the range of 20 K. There is different light emission temperature dependence in the case of bulk defects and mechanical damage defects. Experimental light emission data are consequently correlated with laser beam induced current map.

  • Název v anglickém jazyce

    Artificial defects of solar cells

  • Popis výsledku anglicky

    Artificial defects of solar cells are observable with laser beam induced current techniques. Reversed bias solar cell light emission can also reveal structure inhomogenity and local mechanical damage of the sample. The paper shows simple method for basicclassification into structure group and artificial defects group. Observed artificial defects are shown and process of its creation is described. Defects classification method is based on the measurement of light emission at fixed reverse voltage whilethe temperature of sample is changing in the range of 20 K. There is different light emission temperature dependence in the case of bulk defects and mechanical damage defects. Experimental light emission data are consequently correlated with laser beam induced current map.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    ElectroScope - http://www.electroscope.zcu.cz

  • ISSN

    1802-4564

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    2011

  • Číslo periodika v rámci svazku

    2

  • Stát vydavatele periodika

    CZ - Česká republika

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    33-37

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus