Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Characterization of Si Solar Cells Imperfections in the Near-Field

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU89139" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU89139 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Characterization of Si Solar Cells Imperfections in the Near-Field

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This paper deals with microscale localization of solar cell imperfections. Imperfections are areas on the solar cell that emits light in visible range when the cell is reverse-biased. Samples under investigation are monocrystalline silicon solar cells. Local topography, near-field optical beam induced current, local optical properties and local visible light emission using high resolution and high sensitive techniques together with light emission thermal dependence have been measured. Generally light emission occurs in places where the near-field optical beam induced current has its local minima. The results when there is no evident correlation between light emission and near-field optical beam induced current are presented in this paper. It was foundthat one light emission macroscopic spot can consist of several small light emission spots which diameters are less than 8 ?m.

  • Název v anglickém jazyce

    Characterization of Si Solar Cells Imperfections in the Near-Field

  • Popis výsledku anglicky

    This paper deals with microscale localization of solar cell imperfections. Imperfections are areas on the solar cell that emits light in visible range when the cell is reverse-biased. Samples under investigation are monocrystalline silicon solar cells. Local topography, near-field optical beam induced current, local optical properties and local visible light emission using high resolution and high sensitive techniques together with light emission thermal dependence have been measured. Generally light emission occurs in places where the near-field optical beam induced current has its local minima. The results when there is no evident correlation between light emission and near-field optical beam induced current are presented in this paper. It was foundthat one light emission macroscopic spot can consist of several small light emission spots which diameters are less than 8 ?m.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GAP102%2F10%2F2013" target="_blank" >GAP102/10/2013: Fluktuační procesy v PN přechodech solárních článků</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    25th European Photovoltaic Solar Energy Conference (id 18618)

  • ISBN

    3-936338-26-4

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    WIP - Renewable Energies

  • Místo vydání

    Valencia

  • Místo konání akce

    Valencia

  • Datum konání akce

    6. 9. 2010

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku