Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Modelování memristoru z jeho konstituční relace

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU90082" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU90082 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/60162694:G43__/10:00421582

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Modelování memristoru z jeho konstituční relace

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Většina dosud publikovaných modelů memristorů vychází z jejich stavového popisu. V tomto článku je popsána jiná metoda modelování, která využívá jednoznačné charakteristiky memristoru, jeho konstituční relace, tj. závislosti mezi tokem a nábojem. Konstituční relace je invariantní vůči způsobu interakce memristoru s okolím a jednoznačně tento elektrický prvek definuje, podobně jako například voltampérová charakteristika definuje rezistor. Metoda je využita k SPICE modelování memristorů řízených nábojem atokem.

  • Název v anglickém jazyce

    Memristor modeling from its constitutive relation

  • Popis výsledku anglicky

    Most of the hitherto published models of memristors starts from their state-space description. In this paper, another method of modeling is used which utilizes an unambiguous characteristic of the memristor, namely its constitutive relation, i.e. the flux and charge relationship. The constitutive relation does not depend on the way of the memristor interaction with its neighborhood, and it defines the memristor uniquely such as the voltage-current characteristic defines the resistor. The method is usedfor SPICE modeling of charge- and flux-controlled memristors.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GAP102%2F10%2F1614" target="_blank" >GAP102/10/1614: Memristivní, memkapacitivní a meminduktivní systémy: základní výzkum, modelování a simulace</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Slaboproudý obzor

  • ISSN

    0037-668X

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    66

  • Číslo periodika v rámci svazku

    2

  • Stát vydavatele periodika

    CZ - Česká republika

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus