Model for rts noise in submicron mosfets

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU90266" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU90266 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Model for rts noise in submicron mosfets
Popis výsledku v původním jazyce
The paper presents a model for RTS noise in submicron MOSFETs which can explain some of complex switching phenomena being measured in nanoscale devices. A modified two-step approach is proposed. The charge carrier quantum transitions represent a primaryprocess X(t), which involves two or three quantum states. The measurable quantity is the current modulation, which has discrete states and is represented by a secondary process Y(t). From the dependence of the capture time constant ?c on the drain current we can calculate x-coordinate of the trap position.
Název v anglickém jazyce
Model for rts noise in submicron mosfets
Popis výsledku anglicky
The paper presents a model for RTS noise in submicron MOSFETs which can explain some of complex switching phenomena being measured in nanoscale devices. A modified two-step approach is proposed. The charge carrier quantum transitions represent a primaryprocess X(t), which involves two or three quantum states. The measurable quantity is the current modulation, which has discrete states and is represented by a secondary process Y(t). From the dependence of the capture time constant ?c on the drain current we can calculate x-coordinate of the trap position.

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)