Návrh 14bitového Delta-Sigma Modulátoru v technice spínaných kapacit

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU95901" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU95901 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Návrh 14bitového Delta-Sigma Modulátoru v technice spínaných kapacit

Popis výsledku v původním jazyce

Tato práce se zabývá návrhem 14-bitového Delta sigma modulátoru v technice spínaných kapacitorů (SC). První část práce popisuje vytvoření nového přesného modelu v prostředí MATLAB. Tento model zahrnuje neideality vyskytující se v reálném sigma delta modulátoru. Těmito neidealitami jsou především chyby použitých operačních zesilovačů (konečná šířka pásma, napěťová nesymetrie, konečné zesílení, rychlost přeběhu), komparátoru (hystereze, chyba rozhodovací úrovně), převodníku DAC a použitých spínačů. Na základě simulací MATLAB modelu byl navržen sigma delta modulátor na tranzistorové úrovni v technologii OnSemiconductor CMOS I2T100 0,7um za použití technik SC a correlated double sampling (CDS). Výsledný modulátor dosahuje hodnoty SNR = 82,2 dB (ENOB = 13,4).

Název v anglickém jazyce

Design of the 14bits Delta-Sigma Modulator using SC Technique

Popis výsledku anglicky

The work deals with design of the 14-bit Delta-Sigma modulator in the switched capacitors (SC) technique. The first part describes a new accurate model in MATLAB. The model includes non-idealities occurring on transistor level in Delta-Sigma modulator. These errors are mainly caused by operational amplifiers (finite bandwidth, voltage unbalance, finite gain, slew rate), comparator (hysteresis error decision-making levels), DAC and used switches. The modulator at the transistor level was designed based on MATLAB simulation model. The technology of CMOS technology OnSemiconductor I2T100 0.7 um was used for design. SC and correlated double sampling (CDS) techniques were used for circuitry as well. The final modulator design reached a value of SNR = 82.2 dB (ENOB =13.4).

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích

ISBN

978-80-214-4405-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

69-79

Název nakladatele

VUT v Brně

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

1. 12. 2011

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—