Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Design of the 12bits Delta-Sigma Modulator using SC Technique

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU95138" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PU95138 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Design of the 12bits Delta-Sigma Modulator using SC Technique

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The work deals with design of the 12-bit Delta-Sigma modulator in the switched capacitors (SC) technique. The first part describes a new accurate model in MATLAB. The model includes non-idealities occurring on transistor level in Delta-Sigma modulator. These errors are mainly caused by operational amplifiers (finite bandwidth, voltage unbalance, finite gain, slew rate), comparator (hysteresis error decision-making levels), DAC and used switches. The modulator at the transistor level was designed based on MATLAB simulation model. The technology of CMOS technology OnSemiconductor I2T100 0.7 um was used for design. SC and correlated double sampling (CDS) techniques were used for circuitry as well. The final modulator design reached a value of SNR = 82.2 dB (ENOB =13.4).

  • Název v anglickém jazyce

    Design of the 12bits Delta-Sigma Modulator using SC Technique

  • Popis výsledku anglicky

    The work deals with design of the 12-bit Delta-Sigma modulator in the switched capacitors (SC) technique. The first part describes a new accurate model in MATLAB. The model includes non-idealities occurring on transistor level in Delta-Sigma modulator. These errors are mainly caused by operational amplifiers (finite bandwidth, voltage unbalance, finite gain, slew rate), comparator (hysteresis error decision-making levels), DAC and used switches. The modulator at the transistor level was designed based on MATLAB simulation model. The technology of CMOS technology OnSemiconductor I2T100 0.7 um was used for design. SC and correlated double sampling (CDS) techniques were used for circuitry as well. The final modulator design reached a value of SNR = 82.2 dB (ENOB =13.4).

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Radioengineering

  • ISSN

    1210-2512

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    21

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    CZ - Česká republika

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    246-252

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus