Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Peculiarities of the obtaining process of silicon carbide and aluminum nitride

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU97098" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU97098 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    ruština

  • Název v původním jazyce

    Peculiarities of the obtaining process of silicon carbide and aluminum nitride

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Obtaining of solid solutions of SiC-AlN system with predictable composition and with expected physical-chemical properties is only possible on the basis of whole and detail investigation of interaction character between components of solid solution and by study of connection between composition and properties. The objects of this study are samples of thin films of aluminum nitride and its solid solutions formatted on silicon carbide substrates by sublimation of source of polycrystalline (SiC)1-x(AlN)x solid solution (x = 0.25 and x=1) at 2100-2300 K in nitrogen atmosphere and at atmosphere pressure.

  • Název v anglickém jazyce

    Peculiarities of the obtaining process of silicon carbide and aluminum nitride

  • Popis výsledku anglicky

    Obtaining of solid solutions of SiC-AlN system with predictable composition and with expected physical-chemical properties is only possible on the basis of whole and detail investigation of interaction character between components of solid solution and by study of connection between composition and properties. The objects of this study are samples of thin films of aluminum nitride and its solid solutions formatted on silicon carbide substrates by sublimation of source of polycrystalline (SiC)1-x(AlN)x solid solution (x = 0.25 and x=1) at 2100-2300 K in nitrogen atmosphere and at atmosphere pressure.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of Internationalscientific conference: Advanced technologies, equipment and analytical systems for material sciences and nanomaterials

  • ISBN

    978-5-7681-0642-3

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

    829-831

  • Název nakladatele

    Southwest state university

  • Místo vydání

    Kursk

  • Místo konání akce

    Almaty

  • Datum konání akce

    9. 6. 2011

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku