Nanostructured alumina-tantala dielectrics for high-frequency integral capacitors

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APR26575" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PR26575 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/Products.aspx" target="_blank" >http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/Products.aspx</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Nanostructured alumina-tantala dielectrics for high-frequency integral capacitors
Popis výsledku v původním jazyce
Three types of thin solid films with the nanoscale inner structures were synthesized by sputtering-deposition and anodizing of Al layer, Al 1.5 at.% Si alloy layer, and Al/Ta bilayer on Si wafers. All the anodic films comprised 1 um thick nanoporous alumina layer as the key component. The essential differences were due to the silicon impurities (AlSi alloy) and the array of nanosized tantalum oxide protrusions in the alumina barrier layer (Al/Ta bilayer).
Název v anglickém jazyce
Nanostructured alumina-tantala dielectrics for high-frequency integral capacitors
Popis výsledku anglicky
Three types of thin solid films with the nanoscale inner structures were synthesized by sputtering-deposition and anodizing of Al layer, Al 1.5 at.% Si alloy layer, and Al/Ta bilayer on Si wafers. All the anodic films comprised 1 um thick nanoporous alumina layer as the key component. The essential differences were due to the silicon impurities (AlSi alloy) and the array of nanosized tantalum oxide protrusions in the alumina barrier layer (Al/Ta bilayer).

Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Interní identifikační kód produktu
nano dielectrics
Číselná identifikace
97418
Technické parametry
Precursor films used: Al (99.99%), Al 1.5at.%Si alloy, Al(99,99%)/Ta(99.95%) bilayer; film thicknesses: Al=2000 nm, Al-Si alloy=2000 nm, Al/Ta=700/250 nm; specific capacitance ... 6.5 nF cm-2, dielectric constant ... 7.3-7.35; loss tangent ... (40-60)x10E-4, leakage current at at 1.0 MV cm-1 ... 3x10E-12 Breakdown voltage ... 170-270 V Funkční vzorek byl na základě získaných poznatků zkonstruován a ověřen. Je využíván na pracovišti řešitele LabSensNano (VUT v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Ústav mikroelektroniky, Technická 3058/10, 616 00 Brno, Česká republika)
Ekonomické parametry
The technology enables high-volume, low-cost solution for electronics and microelectronics Costs for developing 300.000 CZK
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
—
Název vlastníka
Ústav mikroelektroniky
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
N - Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)
Požadavek na licenční poplatek
—
Adresa www stránky s výsledkem
http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/Products.aspx

Podobné výsledky(10)