Microholes on the silicon solar cell surface
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU100375" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PU100375 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Microholes on the silicon solar cell surface
Popis výsledku v původním jazyce
Local defects of optoelectronic devices with pn junction affect parameters of whole devices and their quality. For the defects localization purposes the emission of photons from reverse biased devices can be used. Actual results turns out, that those particular light emitting centers can have different physical nature. Some of these defects have indisputable connection with surface morphology, however some not, which makes localization more difficult. In this paper only microholes are investigated. Microscopic localization is not elementary due to small defect size (in submicron range) and low emission intensity. Experimental results are shown and discussed.
Název v anglickém jazyce
Microholes on the silicon solar cell surface
Popis výsledku anglicky
Local defects of optoelectronic devices with pn junction affect parameters of whole devices and their quality. For the defects localization purposes the emission of photons from reverse biased devices can be used. Actual results turns out, that those particular light emitting centers can have different physical nature. Some of these defects have indisputable connection with surface morphology, however some not, which makes localization more difficult. In this paper only microholes are investigated. Microscopic localization is not elementary due to small defect size (in submicron range) and low emission intensity. Experimental results are shown and discussed.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
New trends in physics 2012
ISBN
978-80-214-4594-9
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
165-168
Název nakladatele
Litera Brno
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
11. 10. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—