Microstructure defects in silicon solar cells

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU106135" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU106135 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Microstructure defects in silicon solar cells

Popis výsledku v původním jazyce

Parameters of silicon semiconductor devices are affected by the presence of defects. For the improvement of parameters and lifetime of the devices, the defect localization and characterization is important. This paper describes defects in large semiconductor devices, i.e. in crystalline silicon solar cell structure. The majority of defects has been investigated and localized using visible light emission under reversed bias measurements on microscale. Defects having impact on the sample current-voltage plot and reversed bias light emission characteristics are shown together with the micrographs of defective surface areas. Particular defects such as nonlinearity and local breakdown in current voltage plot were found in the solar cell structure. The mostof the defects is associated with the surface inhomogenity but not all surface inhomogenities act as defects. Measurement at various temperatures allows identify the breakdown mechanism of the investigated defects.

Název v anglickém jazyce

Microstructure defects in silicon solar cells

Popis výsledku anglicky

Parameters of silicon semiconductor devices are affected by the presence of defects. For the improvement of parameters and lifetime of the devices, the defect localization and characterization is important. This paper describes defects in large semiconductor devices, i.e. in crystalline silicon solar cell structure. The majority of defects has been investigated and localized using visible light emission under reversed bias measurements on microscale. Defects having impact on the sample current-voltage plot and reversed bias light emission characteristics are shown together with the micrographs of defective surface areas. Particular defects such as nonlinearity and local breakdown in current voltage plot were found in the solar cell structure. The mostof the defects is associated with the surface inhomogenity but not all surface inhomogenities act as defects. Measurement at various temperatures allows identify the breakdown mechanism of the investigated defects.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of 8th Solid state surfaces and intefaces

ISBN

978-80-223-3501-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

168-169

Název nakladatele

Comenius University Bratislava

Místo vydání

Bratislava

Místo konání akce

Snolenice

Datum konání akce

18. 11. 2013

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—