Simulation of quantum dot in electrostatic fields

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU101158" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PU101158 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Simulation of quantum dot in electrostatic fields
Popis výsledku v původním jazyce
Behavior of a nanostructure consisting of Si quantum dot (QD) embedded in SiO2 dielectric medium, which is under bias of varying electrostatic field is simulated. The paper presents the wave functions psi, probability functions psi.psi* and energies of quantum states of a QD. Abrupt displacement of the peak of psi.psi* at a certain field value is elucidated as electron emission. The field distribution and the characteristics of the nanostructure quantum states are simulated numerically with help of Comsol Multiphysics Poisson-Schrödinger 2D model, developed by the authors.
Název v anglickém jazyce
Simulation of quantum dot in electrostatic fields
Popis výsledku anglicky
Behavior of a nanostructure consisting of Si quantum dot (QD) embedded in SiO2 dielectric medium, which is under bias of varying electrostatic field is simulated. The paper presents the wave functions psi, probability functions psi.psi* and energies of quantum states of a QD. Abrupt displacement of the peak of psi.psi* at a certain field value is elucidated as electron emission. The field distribution and the characteristics of the nanostructure quantum states are simulated numerically with help of Comsol Multiphysics Poisson-Schrödinger 2D model, developed by the authors.

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)