Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Dielectric and electric properties of tantalum thin oxide film at commercial electrolytic capacitor

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU104346" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PU104346 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Dielectric and electric properties of tantalum thin oxide film at commercial electrolytic capacitor

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The complex permittivity of the tantalum oxide capacitor 100 micro-F was measured at room temperature at frequencies from 20 Hz to 2 MHz using the HP (Agilent) E4980A impedance analyzer, with Agilent 16034E 2- terminal test fixture. The tantalum oxide capacitor have max dissipation factor at 120 Hz is 0.005, the real part of the complex permittivity is 27 at 20Hz with one dielectric relaxation peak was observed at about 2 kHz. Higher breakdown fields were observed, and it has been shown that to be useful used below 100 KHz for measuring the dielectric properties of tantalum oxide film and also at electronic application where parasitic are approximately disappears.

  • Název v anglickém jazyce

    Dielectric and electric properties of tantalum thin oxide film at commercial electrolytic capacitor

  • Popis výsledku anglicky

    The complex permittivity of the tantalum oxide capacitor 100 micro-F was measured at room temperature at frequencies from 20 Hz to 2 MHz using the HP (Agilent) E4980A impedance analyzer, with Agilent 16034E 2- terminal test fixture. The tantalum oxide capacitor have max dissipation factor at 120 Hz is 0.005, the real part of the complex permittivity is 27 at 20Hz with one dielectric relaxation peak was observed at about 2 kHz. Higher breakdown fields were observed, and it has been shown that to be useful used below 100 KHz for measuring the dielectric properties of tantalum oxide film and also at electronic application where parasitic are approximately disappears.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    16th International Student Conference on Electrical Engineering

  • ISBN

    978-80-01-05043-9

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    1-4

  • Název nakladatele

    CTU Prague

  • Místo vydání

    Prague

  • Místo konání akce

    Praha, ČVUT

  • Datum konání akce

    17. 5. 2012

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku