Morphology and structural investigation of silicon carbide layers formated by sublimation

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU98332" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PU98332 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Morphology and structural investigation of silicon carbide layers formated by sublimation

Popis výsledku v původním jazyce

Thin films of silicon carbide (SiC) were grown by sublimation epitaxy in vacuum on the 6H-SiC substrates. Structural properties of the initial substrates and the epilayers were studied by both electron-diffraction and X-ray diffraction methods. Electron-diffraction measurement gives the confirmation of the crystallinity of obtained layers. Experimental results show that a lattice per-fection of epilayer is equal to that of monocrystalline substrate. These results are also validated by scanning probe microscopy. So, this technology of fabrication of SiC thin films allows carry out a treatment of initial substrate defects in dependence of the process conditions.

Název v anglickém jazyce

Morphology and structural investigation of silicon carbide layers formated by sublimation

Popis výsledku anglicky

Thin films of silicon carbide (SiC) were grown by sublimation epitaxy in vacuum on the 6H-SiC substrates. Structural properties of the initial substrates and the epilayers were studied by both electron-diffraction and X-ray diffraction methods. Electron-diffraction measurement gives the confirmation of the crystallinity of obtained layers. Experimental results show that a lattice per-fection of epilayer is equal to that of monocrystalline substrate. These results are also validated by scanning probe microscopy. So, this technology of fabrication of SiC thin films allows carry out a treatment of initial substrate defects in dependence of the process conditions.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 18th Conference STUDENT EEICT, vol. 3

ISBN

978-80-214-4462-1

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

239-243

Název nakladatele

LITERA Brno, Tabor 43a, 612 00 Brno

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

26. 4. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—