Formation and study of SiC and AlN epilayers

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU99139" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PU99139 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Formation and study of SiC and AlN epilayers

Popis výsledku v původním jazyce

This paper describes formation process and study of silicon carbide and aluminum nitride thin layers which are the advanced materials for high temperatures electronics. Sublimation epitaxy and ion-plasma method were used. Monocrystalline SiC plates of 6Hpolytypic were used for formation of SiC epilayers. Formation of AlN epilayers is labored because of absence of its own substrates and epitaxial deposition is made by heteroepitaxy on foreign substrates of other materials. Films of AlN were obtained byion-plasma method on the sapphire substrates. Obtained layers are investigated by X-ray diffractometry, electron diffraction and atomic force microscopy.

Název v anglickém jazyce

Formation and study of SiC and AlN epilayers

Popis výsledku anglicky

This paper describes formation process and study of silicon carbide and aluminum nitride thin layers which are the advanced materials for high temperatures electronics. Sublimation epitaxy and ion-plasma method were used. Monocrystalline SiC plates of 6Hpolytypic were used for formation of SiC epilayers. Formation of AlN epilayers is labored because of absence of its own substrates and epitaxial deposition is made by heteroepitaxy on foreign substrates of other materials. Films of AlN were obtained byion-plasma method on the sapphire substrates. Obtained layers are investigated by X-ray diffractometry, electron diffraction and atomic force microscopy.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

IMAPS CS International Conference. Electronic Devices and Systems. EDS'12. Proceedings.

ISBN

978-80-214-4539-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

111-115

Název nakladatele

Vysoke uceni technicke v Brne

Místo vydání

LITERA, Tabor 43a, 61200 Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

28. 6. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—