Scanning electron microscopy of the thin layers of silicon carbide-aluminum nitride solid solution formatted by sublimation epitaxy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU100264" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PU100264 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Scanning electron microscopy of the thin layers of silicon carbide-aluminum nitride solid solution formatted by sublimation epitaxy

Popis výsledku v původním jazyce

The purpose of the study is formation and investigation of SiC/(SiC)1-x(AlN)x structure by scanning electron microscopy and atomic force microscopy. Sublimation epitaxy of the policrystalline sourse of (SiC)1-x(AlN)x was used. The optimal conditions of sublimation process are defined. These structures could be used as substrate for desing of semiconductor devices on the basis of nitrides, including gallium nitride, aluminum nitride and their alloys, it also can be uses for production of transistors withhigh mobility of electrons and also for creation of blue and ultraviolet lith emmiters, in light-emmited diodes and laser diodes.

Název v anglickém jazyce

Scanning electron microscopy of the thin layers of silicon carbide-aluminum nitride solid solution formatted by sublimation epitaxy

Popis výsledku anglicky

The purpose of the study is formation and investigation of SiC/(SiC)1-x(AlN)x structure by scanning electron microscopy and atomic force microscopy. Sublimation epitaxy of the policrystalline sourse of (SiC)1-x(AlN)x was used. The optimal conditions of sublimation process are defined. These structures could be used as substrate for desing of semiconductor devices on the basis of nitrides, including gallium nitride, aluminum nitride and their alloys, it also can be uses for production of transistors withhigh mobility of electrons and also for creation of blue and ultraviolet lith emmiters, in light-emmited diodes and laser diodes.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Optics and Measurement 2012

ISBN

978-80-87026-02-1

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

5-8

Název nakladatele

Institute of Plasma Physics AS CR, v.v.i. - TOPTEC

Místo vydání

Prague 8

Místo konání akce

Liberec

Datum konání akce

16. 10. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—