SEM a AFM studie morfologie tenkých vrstev tuhého roztoku SiC-AlN

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU102932" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU102932 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

SEM a AFM studie morfologie tenkých vrstev tuhého roztoku SiC-AlN

Popis výsledku v původním jazyce

Cílem této studie bylo jednak vytvoření tenkých vrstev SiC/(SiC)(1-x)(AlN)x sublimační epitaxí polykrystalického zdroje (SiC)(1-x)(AlN)x a jednak jejich charakterizace pomocí skenovací elektronové mikroskopie a mikroskopie atomárních sil. Pro vznik vrstev byly definovány optimální podmínky sublimačního procesu. Vzniklé struktury mohou být použity jako substráty pro polovodičové součástky na bázi nitridů, tj. GaN, AlN a jejich slitin, pro výrobu tranzistorů s vysokou elektronovou mobilitou, či světelnýchzdrojů (LED a laserových diod) vyzařujících v modré a ultrafialové oblasti spektra. Výsledky analýzy pomocí SEM a AFM ukázaly, že již při teplotě 2300 K je možné pomocí sublimační epitaxe vytvořit tenké vrstvy nitridu hliníku a jeho tuhých roztoků.

Název v anglickém jazyce

SEM and AFM study of thin film SiC-AlN solid solution morphology

Popis výsledku anglicky

The paper bring results of SiC/(SiC)(1-x)(AlN)x thin films manufacturing by sublimation epitaxy of the polycrystalline source of (SiC)1-x(AlN)x. Their characterization by scanning electron microscopy and atomic force microscopy. was also provided, and optimal conditions of sublimation process were defined. These structures could be used as substrate for design of semiconductor devices on the basis of nitrides, including gallium nitride, aluminum nitride and their alloys. The results of SEM and AFM analysis shown, that the temperatures of 2300 K is sufficient to obtain aluminium nitrate thin films and also its solid solutions.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Jemná mechanika a optika

ISSN

0447-6441

e-ISSN

—

Svazek periodika

58

Číslo periodika v rámci svazku

3

Stát vydavatele periodika

CZ - Česká republika

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

75-77

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—