Structural properties of Al2O3/AlN thin film prepared by magnetron sputtering of Al in HF-activated nitrogen plasma

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU101067" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU101067 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Structural properties of Al2O3/AlN thin film prepared by magnetron sputtering of Al in HF-activated nitrogen plasma

Popis výsledku v původním jazyce

A process for ion-plasmaformation of aluminumnitride (AlN) nanolayers on nitrided sapphire (Al2O3) substrates is presented. The method is based on the direct current magnetron sputtering of a high-purity aluminumtarget in the presence of an argon?nitrogen gas mix and high frequency-activated nitrogen plasma. The method, combined with ion etching, producedmatched layers by nitration of Al2O3 in the (0001) plane, and formation of high quality AlN epilayers on this surface was observed. The processing characteristics and morphology dependence on synthesis parameters were studied using atomic force microscopy.

Název v anglickém jazyce

Structural properties of Al2O3/AlN thin film prepared by magnetron sputtering of Al in HF-activated nitrogen plasma

Popis výsledku anglicky

A process for ion-plasmaformation of aluminumnitride (AlN) nanolayers on nitrided sapphire (Al2O3) substrates is presented. The method is based on the direct current magnetron sputtering of a high-purity aluminumtarget in the presence of an argon?nitrogen gas mix and high frequency-activated nitrogen plasma. The method, combined with ion etching, producedmatched layers by nitration of Al2O3 in the (0001) plane, and formation of high quality AlN epilayers on this surface was observed. The processing characteristics and morphology dependence on synthesis parameters were studied using atomic force microscopy.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

526

Číslo periodika v rámci svazku

526

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

92-96

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—