Contacts charge transport and additional noise properties of semiconductor CdTe sensors

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU103107" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU103107 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=6482863" target="_blank" >http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=6482863</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/EDSSC.2012.6482863" target="_blank" >10.1109/EDSSC.2012.6482863</a>

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Contacts charge transport and additional noise properties of semiconductor CdTe sensors
Popis výsledku v původním jazyce
Contact quality analysis of Cadmium-Telluride detector has been conducted. IV characteristics at operating temperatures T = 305 K, 315 K, 325 K were measured. Results showed asymmetry of IV characteristics for negative and positive bias indicated by increased leakage current in case of negative biasing. Noise contributions of contacts were evaluated. Reverse biased contact in negative was found as dominant source of low frequency noise.
Název v anglickém jazyce
Contacts charge transport and additional noise properties of semiconductor CdTe sensors
Popis výsledku anglicky
Contact quality analysis of Cadmium-Telluride detector has been conducted. IV characteristics at operating temperatures T = 305 K, 315 K, 325 K were measured. Results showed asymmetry of IV characteristics for negative and positive bias indicated by increased leakage current in case of negative biasing. Noise contributions of contacts were evaluated. Reverse biased contact in negative was found as dominant source of low frequency noise.

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proceedings of the 2012 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid State Circuit (EDSSC),
ISBN
978-1-4673-5694-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
1-4
Název nakladatele
IEEE Thailand Section
Místo vydání
Bangkok, Thailand
Místo konání akce
Bangkok
Datum konání akce
3. 12. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)