Microscopic optoelectronic defectoscopy of solar cells

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU103764" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU103764 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1051/epjconf/20134800026" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1051/epjconf/20134800026</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1051/epjconf/20134800026" target="_blank" >10.1051/epjconf/20134800026</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Microscopic optoelectronic defectoscopy of solar cells

Popis výsledku v původním jazyce

Scanning probe microscopes are powerful tool for micro- or nanoscale diagnostics of defects in crystalline silicon solar cells. Solar cell is a large p-n junction semiconductor device. Its quality is strongly damaged by the presence of defects. If the cell works under low reverse-biased voltage, defects emit a light in visible range. The suggested method combines three different measurements: electric noise measurement, local topography and near-field optical beam induced current and thus provides morecomplex information. To prove its feasibility, we have selected one defect (truncated pyramid) in the sample, which emitted light under low reverse-biased voltage.

Název v anglickém jazyce

Microscopic optoelectronic defectoscopy of solar cells

Popis výsledku anglicky

Scanning probe microscopes are powerful tool for micro- or nanoscale diagnostics of defects in crystalline silicon solar cells. Solar cell is a large p-n junction semiconductor device. Its quality is strongly damaged by the presence of defects. If the cell works under low reverse-biased voltage, defects emit a light in visible range. The suggested method combines three different measurements: electric noise measurement, local topography and near-field optical beam induced current and thus provides morecomplex information. To prove its feasibility, we have selected one defect (truncated pyramid) in the sample, which emitted light under low reverse-biased voltage.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

EPJ Web of Conferences

ISSN

2100-014X

e-ISSN

—

Svazek periodika

48

Číslo periodika v rámci svazku

48

Stát vydavatele periodika

FR - Francouzská republika

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

"00026.1"-"00026.4"

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—