Ultra-low voltage tunable transconductor based on bulk-driven quasi-floating-gate technique

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU104397" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU104397 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1142/S0218126613500734" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1142/S0218126613500734</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1142/S0218126613500734" target="_blank" >10.1142/S0218126613500734</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Ultra-low voltage tunable transconductor based on bulk-driven quasi-floating-gate technique

Popis výsledku v původním jazyce

This paper presents ultra-low voltage transconductor using a new bulk-driven quasi-floating-gate technique (BD-QFG). This technique leads to significant increase in the transconductance and the bandwidth values of the MOS transistor (MOST) under ultra-low voltage condition. The proposed CMOS structure of the transconductor is capable to work with ultra-low supply voltage of +-300 mV and low power consumption of 18 uW. The transconductance value of the transconductor is tunable by external resistor with wide linear range. To prove the validation of the new described technique a second order Gm-C multifunction filter is presented as one of possible application. The simulation results using 0.18 um CMOS N-Well process from TSMC show the attractive features of the proposed circuit.

Název v anglickém jazyce

Ultra-low voltage tunable transconductor based on bulk-driven quasi-floating-gate technique

Popis výsledku anglicky

This paper presents ultra-low voltage transconductor using a new bulk-driven quasi-floating-gate technique (BD-QFG). This technique leads to significant increase in the transconductance and the bandwidth values of the MOS transistor (MOST) under ultra-low voltage condition. The proposed CMOS structure of the transconductor is capable to work with ultra-low supply voltage of +-300 mV and low power consumption of 18 uW. The transconductance value of the transconductor is tunable by external resistor with wide linear range. To prove the validation of the new described technique a second order Gm-C multifunction filter is presented as one of possible application. The simulation results using 0.18 um CMOS N-Well process from TSMC show the attractive features of the proposed circuit.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

JOURNAL OF CIRCUITS SYSTEMS AND COMPUTERS

ISSN

0218-1266

e-ISSN

—

Svazek periodika

2013 (22)

Číslo periodika v rámci svazku

8, IF: 0.2

Stát vydavatele periodika

SG - Singapurská republika

Počet stran výsledku

13

Strana od-do

"1350073-1"-"1350073-13"

Kód UT WoS článku

000324836400011

EID výsledku v databázi Scopus

—