ULTRA LOW POWER TUNABLE TRANSCONDUCTOR

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F16%3APU119228" target="_blank" >RIV/00216305:26220/16:PU119228 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
ULTRA LOW POWER TUNABLE TRANSCONDUCTOR
Popis výsledku v původním jazyce
This paper presents ultra-Low power (ultra-LP) Low voltage (LV) tunable transconductor (Gm) and its application to implement Gm-C filter. The CMOS structure of the Gm is performed using bulk-driven (BD) MOST technique, thus it can operate with extremely low voltage supply of ±0.3 V using 0.18 μm CMOS process. Moreover, it consumes ultra-LP about 4.9 μW. The simple topology, proper operating range, and tunability make this transconductor attractive. The transconductor and the Gm-C filter have been examined using simulation program Pspice.
Název v anglickém jazyce
ULTRA LOW POWER TUNABLE TRANSCONDUCTOR
Popis výsledku anglicky
This paper presents ultra-Low power (ultra-LP) Low voltage (LV) tunable transconductor (Gm) and its application to implement Gm-C filter. The CMOS structure of the Gm is performed using bulk-driven (BD) MOST technique, thus it can operate with extremely low voltage supply of ±0.3 V using 0.18 μm CMOS process. Moreover, it consumes ultra-LP about 4.9 μW. The simple topology, proper operating range, and tunability make this transconductor attractive. The transconductor and the Gm-C filter have been examined using simulation program Pspice.

Projekt
<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0072" target="_blank" >ED2.1.00/03.0072: Centrum senzorických, informačních a komunikačních systémů (SIX)</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)