Přípravek pro měření radiačních změn teplotní závislosti PMOS tranzistorů
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F14%3APR27798" target="_blank" >RIV/00216305:26220/14:PR27798 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.umel.feec.vutbr.cz/vyzkum/vysledky/funkcni-vzorky/" target="_blank" >http://www.umel.feec.vutbr.cz/vyzkum/vysledky/funkcni-vzorky/</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Přípravek pro měření radiačních změn teplotní závislosti PMOS tranzistorů
Popis výsledku v původním jazyce
Byl navržen a realizován prototyp poloautomatického testu radiačních změn (degradací) teplotní závislosti prahového napětí PMOS tranzistorů a byly provedeny prvotní úspěšné experimenty. Zatímco měření charakteristiky PMOS probíhalo plně automaticky, teplota tranzistorů byla řízena manuálně. Podařilo se prokázat, že radiace způsobuje výrazné změny teplotních koeficientů tranzistorů a že tyto změny jsou také silně závislé na napájení tranzistorů během jejich ozařování.
Název v anglickém jazyce
Test jig for evaluation of radiation induced changes of PMOS transistors temperature coefficients
Popis výsledku anglicky
A prototype of test jig for evaluation of radiation induced changes of PMOS transistors threshold voltage temperature coefficient has been built and initial successful experiments have been completed. While the transistor characterization is fully automated, the control of transistors temperature is manual. It has been demonstrated that the gamma radiation can induce serious changes to the transistor temperature coefficients and these changes are also a function of the transistor bias voltage during theirradiation.
Klasifikace
Druh
G<sub>funk</sub> - Funkční vzorek
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Interní identifikační kód produktu
RaTran.v01
Číselná identifikace
—
Technické parametry
Maximalní celková dávka (Co60) : 1Mrad, Rozsah m25en9 Vth: 0 a6 200V, Teplotní rozsah: -30 až 100C
Ekonomické parametry
50000 Kč
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
00216305
Název vlastníka
Ústav mikroelektroniky
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Požadavek na licenční poplatek
N - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
—