Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Přípravek pro měření radiačních změn teplotní závislosti PMOS tranzistorů

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F14%3APR27798" target="_blank" >RIV/00216305:26220/14:PR27798 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://www.umel.feec.vutbr.cz/vyzkum/vysledky/funkcni-vzorky/" target="_blank" >http://www.umel.feec.vutbr.cz/vyzkum/vysledky/funkcni-vzorky/</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Přípravek pro měření radiačních změn teplotní závislosti PMOS tranzistorů

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Byl navržen a realizován prototyp poloautomatického testu radiačních změn (degradací) teplotní závislosti prahového napětí PMOS tranzistorů a byly provedeny prvotní úspěšné experimenty. Zatímco měření charakteristiky PMOS probíhalo plně automaticky, teplota tranzistorů byla řízena manuálně. Podařilo se prokázat, že radiace způsobuje výrazné změny teplotních koeficientů tranzistorů a že tyto změny jsou také silně závislé na napájení tranzistorů během jejich ozařování.

  • Název v anglickém jazyce

    Test jig for evaluation of radiation induced changes of PMOS transistors temperature coefficients

  • Popis výsledku anglicky

    A prototype of test jig for evaluation of radiation induced changes of PMOS transistors threshold voltage temperature coefficient has been built and initial successful experiments have been completed. While the transistor characterization is fully automated, the control of transistors temperature is manual. It has been demonstrated that the gamma radiation can induce serious changes to the transistor temperature coefficients and these changes are also a function of the transistor bias voltage during theirradiation.

Klasifikace

  • Druh

    G<sub>funk</sub> - Funkční vzorek

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2014

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Interní identifikační kód produktu

    RaTran.v01

  • Číselná identifikace

  • Technické parametry

    Maximalní celková dávka (Co60) : 1Mrad, Rozsah m25en9 Vth: 0 a6 200V, Teplotní rozsah: -30 až 100C

  • Ekonomické parametry

    50000 Kč

  • Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

  • IČO vlastníka výsledku

    00216305

  • Název vlastníka

    Ústav mikroelektroniky

  • Stát vlastníka

    CZ - Česká republika

  • Druh možnosti využití

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Požadavek na licenční poplatek

    N - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek

  • Adresa www stránky s výsledkem