A method for measuring the effect of total ionising dose on temperature coefficients of semiconductor devices

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F15%3APU113729" target="_blank" >RIV/00216305:26220/15:PU113729 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

A method for measuring the effect of total ionising dose on temperature coefficients of semiconductor devices

Popis výsledku v původním jazyce

This work presents a new test method that allows in-situ measurements of radiation-induced changes in temperature coefficients to be made. The preliminary results of a pilot experiment on commercial PMOS transistors and voltage references will be presented and discussed.

Název v anglickém jazyce

A method for measuring the effect of total ionising dose on temperature coefficients of semiconductor devices

Popis výsledku anglicky

This work presents a new test method that allows in-situ measurements of radiation-induced changes in temperature coefficients to be made. The preliminary results of a pilot experiment on commercial PMOS transistors and voltage references will be presented and discussed.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů