Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

SEM and AFM imaging of solar cells defects

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F15%3APU113088" target="_blank" >RIV/00216305:26220/15:PU113088 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2049046" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.2049046</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2049046" target="_blank" >10.1117/12.2049046</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    SEM and AFM imaging of solar cells defects

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The paper deals with the successive localization and imaging of solar cell defects, going from macroscale to microscale. For the purpose of localization, the light emission from reversed bias samples is used. After rough macroscopic localization, microscopic localization by scanning probe microscopy combined with a photomultiplier (shadow mapping) is performed. The type of microscopic defects are discernable from their current-voltage plot or from noise measurements. Two specific defects, both of the avalanche type, with different voltage threshold, are presented in this paper. Current voltage plots and radiant flux versus voltage characteristics for two temperatures, topography, shadow map and corresponding SEM micrographs are shown for both samples.

  • Název v anglickém jazyce

    SEM and AFM imaging of solar cells defects

  • Popis výsledku anglicky

    The paper deals with the successive localization and imaging of solar cell defects, going from macroscale to microscale. For the purpose of localization, the light emission from reversed bias samples is used. After rough macroscopic localization, microscopic localization by scanning probe microscopy combined with a photomultiplier (shadow mapping) is performed. The type of microscopic defects are discernable from their current-voltage plot or from noise measurements. Two specific defects, both of the avalanche type, with different voltage threshold, are presented in this paper. Current voltage plots and radiant flux versus voltage characteristics for two temperatures, topography, shadow map and corresponding SEM micrographs are shown for both samples.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Proceedings of SPIE

  • ISSN

    0277-786X

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    9450

  • Číslo periodika v rámci svazku

    9450

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    1-6

  • Kód UT WoS článku

    000349404500056

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-84923008673