Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Influence of localized structural defects on the pn junction properties

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F14%3APU107390" target="_blank" >RIV/00216305:26620/14:PU107390 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.592-593.441" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.592-593.441</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.592-593.441" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/KEM.592-593.441</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Influence of localized structural defects on the pn junction properties

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Local defects, as micro-fractures, precipitates and other material inhomogeneities in solar cell structure, evidently modify electrical and photoelectrical behavior of the latter. To improve the efficiency and lifetime of existing solar cells, it is important to localize these defects which influence the p-n properties, and assign them corresponding electrical characteristics. Although the electric breakdown can be evident in current-voltage plot, the localization of local defects in the sample, that generate this breakdown, is not so easy task. It has to be done by microscopic investigations and measurement of light emission from defects under electrical bias conditions. Thus to contribute to this end, the structure of defects is microscopically investigated and consequently, the defects can be removed by focused ion beam milling. The experimental results obtained from samples before and after milling are also discussed.

  • Název v anglickém jazyce

    Influence of localized structural defects on the pn junction properties

  • Popis výsledku anglicky

    Local defects, as micro-fractures, precipitates and other material inhomogeneities in solar cell structure, evidently modify electrical and photoelectrical behavior of the latter. To improve the efficiency and lifetime of existing solar cells, it is important to localize these defects which influence the p-n properties, and assign them corresponding electrical characteristics. Although the electric breakdown can be evident in current-voltage plot, the localization of local defects in the sample, that generate this breakdown, is not so easy task. It has to be done by microscopic investigations and measurement of light emission from defects under electrical bias conditions. Thus to contribute to this end, the structure of defects is microscopically investigated and consequently, the defects can be removed by focused ion beam milling. The experimental results obtained from samples before and after milling are also discussed.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20304 - Aerospace engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2014

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Key Engineering Materials (print)

  • ISSN

    1013-9826

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    592-593

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    441-444

  • Kód UT WoS článku

    000336694400098

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-84891885669