Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Influence of localized structure defects on the pn junction properties

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU105099" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU105099 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Influence of localized structure defects on the pn junction properties

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Local defects in the solar cell structures evidently affect electrical and photoelectrical properties of the cells. These local defects can be microfractures, precipitates and other material structure inhomogeneities. Localization of the defects in the structure and assigning particular defects with photoelectrical parameter deterioration is keypoint for solar cell lifetime and efficiency improvement. Although the breakdown can be evident in current-voltage plot, the localization on the sample has to been done by microscopic investigations and defects light emission measurement under electrical bias conditions. The defects structures are microscopically investigated in this paper. Moreover the experimental results obtained from samples where the defects were removed by focused ion beam are presented. Sample electrical and photoelectrical properties before and after milling are discussed.

  • Název v anglickém jazyce

    Influence of localized structure defects on the pn junction properties

  • Popis výsledku anglicky

    Local defects in the solar cell structures evidently affect electrical and photoelectrical properties of the cells. These local defects can be microfractures, precipitates and other material structure inhomogeneities. Localization of the defects in the structure and assigning particular defects with photoelectrical parameter deterioration is keypoint for solar cell lifetime and efficiency improvement. Although the breakdown can be evident in current-voltage plot, the localization on the sample has to been done by microscopic investigations and defects light emission measurement under electrical bias conditions. The defects structures are microscopically investigated in this paper. Moreover the experimental results obtained from samples where the defects were removed by focused ion beam are presented. Sample electrical and photoelectrical properties before and after milling are discussed.

Klasifikace

  • Druh

    O - Ostatní výsledky

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů