Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Specification of one classical fingerprint of ideal memristor

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F15%3APU113275" target="_blank" >RIV/00216305:26220/15:PU113275 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2015.01.007" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2015.01.007</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2015.01.007" target="_blank" >10.1016/j.mejo.2015.01.007</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Specification of one classical fingerprint of ideal memristor

  • Popis výsledku v původním jazyce

    It is well known that the memristor hysteresis vanishes if the frequency of its sinusoidal excitation increases. Such a regularity is frequently interpreted as one of the most widely known fingerprints of the memristor. Specifying this fingerprint, the paper yields a new piece of knowledge about the frequency dependence of hysteresis for a constant amplitude of the excitation.

  • Název v anglickém jazyce

    Specification of one classical fingerprint of ideal memristor

  • Popis výsledku anglicky

    It is well known that the memristor hysteresis vanishes if the frequency of its sinusoidal excitation increases. Such a regularity is frequently interpreted as one of the most widely known fingerprints of the memristor. Specifying this fingerprint, the paper yields a new piece of knowledge about the frequency dependence of hysteresis for a constant amplitude of the excitation.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LD14103" target="_blank" >LD14103: Modelování a simulace mem-systémů</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Microelectronics Journal

  • ISSN

    0026-2692

  • e-ISSN

    1879-2391

  • Svazek periodika

    46

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

    298-300

  • Kód UT WoS článku

    000353081200004

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-84923322736