A Fully Balanced Four-Terminal Floating Nullor for Ultra-Low Voltage Analog Filter Design
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F17%3APU120687" target="_blank" >RIV/00216305:26220/17:PU120687 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1049/iet-cds.2016.0212" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1049/iet-cds.2016.0212</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1049/iet-cds.2016.0212" target="_blank" >10.1049/iet-cds.2016.0212</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
A Fully Balanced Four-Terminal Floating Nullor for Ultra-Low Voltage Analog Filter Design
Popis výsledku v původním jazyce
This paper presents a new CMOS structure for a fully balanced four-terminal floating nullor (FBFTFN) which is suitable for ultra-low-voltage and low-power applications. This structure employs a bulk-driven quasi-floating-gate (BD-QFG) MOS transistor technique to provide the capability of ultra-low voltage, low-power operations as well as extended input voltage range. The functionality of the proposed circuits is demonstrated through simulations using SPICE and TSMC 0.18 um n-well CMOS technology with supply voltage of 0.5 V and dissipation power of 9.4 uW. To confirm the attractive features of the proposed circuit, the fully balanced filters such as band-pass Sallen-Key filter, voltage-mode universal biquadratic filter and current-mode sixth-order low-pass filter using proposed BD-QFG FBFTFN as active elements have been designed.
Název v anglickém jazyce
A Fully Balanced Four-Terminal Floating Nullor for Ultra-Low Voltage Analog Filter Design
Popis výsledku anglicky
This paper presents a new CMOS structure for a fully balanced four-terminal floating nullor (FBFTFN) which is suitable for ultra-low-voltage and low-power applications. This structure employs a bulk-driven quasi-floating-gate (BD-QFG) MOS transistor technique to provide the capability of ultra-low voltage, low-power operations as well as extended input voltage range. The functionality of the proposed circuits is demonstrated through simulations using SPICE and TSMC 0.18 um n-well CMOS technology with supply voltage of 0.5 V and dissipation power of 9.4 uW. To confirm the attractive features of the proposed circuit, the fully balanced filters such as band-pass Sallen-Key filter, voltage-mode universal biquadratic filter and current-mode sixth-order low-pass filter using proposed BD-QFG FBFTFN as active elements have been designed.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
IET Circuits, Devices and Systems
ISSN
1751-858X
e-ISSN
1751-8598
Svazek periodika
2017 (11)
Číslo periodika v rámci svazku
2, IF: 1.092
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
10
Strana od-do
173-182
Kód UT WoS článku
000398049800008
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85015009016