Characteristics of gallium arsenide solar cells at high temperature

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F17%3APU123520" target="_blank" >RIV/00216305:26220/17:PU123520 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.utee.feec.vutbr.cz/eeict/2017/EEICT%202017-sborn%C3%ADk-komplet.pdf" target="_blank" >http://www.utee.feec.vutbr.cz/eeict/2017/EEICT%202017-sborn%C3%ADk-komplet.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Characteristics of gallium arsenide solar cells at high temperature
Popis výsledku v původním jazyce
This article reviews a work on processing of gallium arsenide (GaAs) solar cells. The performance of cells before and after 300 °C thermal processing was correlated with topography identified by optical camera, atomic force microscope (AFM) and scanning electron microscope (SEM). Experiment indicates insignificant changes in topography of GaAs solar cells, but electrical characteristics show an excellent resistance of the samples to processing temperature.
Název v anglickém jazyce
Characteristics of gallium arsenide solar cells at high temperature
Popis výsledku anglicky
This article reviews a work on processing of gallium arsenide (GaAs) solar cells. The performance of cells before and after 300 °C thermal processing was correlated with topography identified by optical camera, atomic force microscope (AFM) and scanning electron microscope (SEM). Experiment indicates insignificant changes in topography of GaAs solar cells, but electrical characteristics show an excellent resistance of the samples to processing temperature.

Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)