Surface morphology after reactive ion etching of silicon and gallium arsenide based solar cells

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F18%3APU130134" target="_blank" >RIV/00216305:26220/18:PU130134 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/1124/4/041015" target="_blank" >http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/1124/4/041015</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1124/4/041015" target="_blank" >10.1088/1742-6596/1124/4/041015</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Surface morphology after reactive ion etching of silicon and gallium arsenide based solar cells

Popis výsledku v původním jazyce

This work aims to study the surface morphology of solar cells before and after reactive ion etching (RIE) at two different pressures. Two types of solar cell based on GaAs and polycrystalline Si were processed and compared. The Scanning Electron Microscope (SEM) with the Energy Dispersive X-ray spectroscopy (EDX) was used for analysis of the samples. Raman spectroscopy showed a structural fingerprint of materials before and after processing. Atomic Force Microscope (AFM) demonstrated dimensional topography with high resolution. Optical spectrometer detected changing of reflectance the samples. Experimentally, it has been confirmed that GaAs solar cells have a very high endurance to ion bombardment in comparison to Si cells.

Název v anglickém jazyce

Surface morphology after reactive ion etching of silicon and gallium arsenide based solar cells

Popis výsledku anglicky

This work aims to study the surface morphology of solar cells before and after reactive ion etching (RIE) at two different pressures. Two types of solar cell based on GaAs and polycrystalline Si were processed and compared. The Scanning Electron Microscope (SEM) with the Energy Dispersive X-ray spectroscopy (EDX) was used for analysis of the samples. Raman spectroscopy showed a structural fingerprint of materials before and after processing. Atomic Force Microscope (AFM) demonstrated dimensional topography with high resolution. Optical spectrometer detected changing of reflectance the samples. Experimentally, it has been confirmed that GaAs solar cells have a very high endurance to ion bombardment in comparison to Si cells.

Druh

J_SC - Článek v periodiku v databázi SCOPUS

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Physics: Conference Series

ISSN

1742-6588

e-ISSN

1742-6596

Svazek periodika

1124

Číslo periodika v rámci svazku

4

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

165-171

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85060972191