Multiple-input bulk-driven MOS transistor for low-voltage low-frequency applications

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F19%3APU129825" target="_blank" >RIV/00216305:26220/19:PU129825 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21460/19:00340729

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s00034-018-0999-x" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1007/s00034-018-0999-x</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s00034-018-0999-x" target="_blank" >10.1007/s00034-018-0999-x</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Multiple-input bulk-driven MOS transistor for low-voltage low-frequency applications

Popis výsledku v původním jazyce

This brief presents the principle and the first experimental results of the multiple-input bulk-driven (MIBD) MOS transistor (MOST) suitable for extremely low-voltage (LV) low-power (LP) integrated circuits. The MIBD MOST offers significant reduction in circuit complexity, power consumption and extension of the input common-mode range (ICMR). To confirm the benefits of the MIBD MOST, a differential difference amplifier (DDA) with very simple CMOS topology has been designed and fabricated in a standard n-well 0.18 µm CMOS process from TSMC with total chip area 226 µm x 78 µm. The DDA is supplied with 0.5 V and consume only 1.23 µW while the ICMR is rail-to-rail. The measured open-loop dc gain is 62 dB, the gain bandwidth product is 56.4 kHz and the total harmonic distortion is 0.2 % @ 1 kHz for 400 mV peak-to-peak input sine-wave.

Název v anglickém jazyce

Multiple-input bulk-driven MOS transistor for low-voltage low-frequency applications

Popis výsledku anglicky

This brief presents the principle and the first experimental results of the multiple-input bulk-driven (MIBD) MOS transistor (MOST) suitable for extremely low-voltage (LV) low-power (LP) integrated circuits. The MIBD MOST offers significant reduction in circuit complexity, power consumption and extension of the input common-mode range (ICMR). To confirm the benefits of the MIBD MOST, a differential difference amplifier (DDA) with very simple CMOS topology has been designed and fabricated in a standard n-well 0.18 µm CMOS process from TSMC with total chip area 226 µm x 78 µm. The DDA is supplied with 0.5 V and consume only 1.23 µW while the ICMR is rail-to-rail. The measured open-loop dc gain is 62 dB, the gain bandwidth product is 56.4 kHz and the total harmonic distortion is 0.2 % @ 1 kHz for 400 mV peak-to-peak input sine-wave.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

CIRCUITS SYSTEMS AND SIGNAL PROCESSING

ISSN

0278-081X

e-ISSN

1531-5878

Svazek periodika

38

Číslo periodika v rámci svazku

6, IF: 1.922

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

17

Strana od-do

2829-2845

Kód UT WoS článku

000468147600019

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85065919435