Development of HfO2/Al2O3 Stack for On-Chip Capacitor Applications

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F19%3APU134740" target="_blank" >RIV/00216305:26220/19:PU134740 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/8810156" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/8810156</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ISSE.2019.8810156" target="_blank" >10.1109/ISSE.2019.8810156</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Development of HfO2/Al2O3 Stack for On-Chip Capacitor Applications

Popis výsledku v původním jazyce

We presented the development and characterization of high-k stack HfO2/Al2O3 capacitor, fabricated directly on chip. The capacitor is based on nanolaminate material directly grown by plasma-assisted Atomic Layer Deposition (ALD) in a single reactor chamber. The deposition process was performed at a single temperature (250°C). We tested the various numbers of layers in the stack, compared the electrical and material characterizations. Using the optimal deposition conditions, we obtained a structure with nanolaminates of single thickens 5Å, capacitance density of 1.10-12 F.μm-2 and leakage current density of 1.10-9 A.cm-2

Název v anglickém jazyce

Development of HfO2/Al2O3 Stack for On-Chip Capacitor Applications

Popis výsledku anglicky

We presented the development and characterization of high-k stack HfO2/Al2O3 capacitor, fabricated directly on chip. The capacitor is based on nanolaminate material directly grown by plasma-assisted Atomic Layer Deposition (ALD) in a single reactor chamber. The deposition process was performed at a single temperature (250°C). We tested the various numbers of layers in the stack, compared the electrical and material characterizations. Using the optimal deposition conditions, we obtained a structure with nanolaminates of single thickens 5Å, capacitance density of 1.10-12 F.μm-2 and leakage current density of 1.10-9 A.cm-2

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

42st International Spring Seminar on Electronics Technology ISSE2019

ISBN

978-1-7281-1874-1

ISSN

2161-2536

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

1-4

Název nakladatele

IEEE Computer Society

Místo vydání

Poland

Místo konání akce

Wroclaw

Datum konání akce

15. 5. 2019

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000507501000004